skylnė elektròninė sándūra, pn sándūra, p tipo (jame laisvų skylių yra daugiau nei laisvų elektronų) ir n tipo (jame daugiau laisvų elektronų) puslaidininkių sandūra. Sudaroma legiruojant puslaidininkius arba jų heterodarinius. Dėl elektronų difuzijos iš n srities į p sritį ir skylių difuzijos iš p į n sritį ties sandūra krūviai atsiskiria ir susidaro nuskurdintasis sluoksnis, t. p. atsiranda elektrinis laukas ir potencialų skirtumas tarp elektroninio (n) ir skylinio laidumo (p) sričių. Dėl to susidaro potencialo barjeras, trukdantis skylėms ir elektronams pereiti per sandūrą. Prie sandūros prijungus įtampą užtvarine kryptimi (teigiamąją įtampą prie n srities, neigiamąją – prie p srities) potencialo barjero aukštis padidėja, ir per sandūrą teka tik labai silpna, nuo įtampos mažai priklausanti atgalinė srovė, kuriama šalutinių krūvininkų (skylių n srityje ir elektronų p srityje), kuriems nėra potencialo barjero. Didinant įtampą laidžiąja sritimi barjero aukštis mažėja, ir srovė per sandūrą auga eksponentiškai. Skylinė elektroninė sandūra naudojama puslaidininkiniuose dioduose, šviestukuose (šviesos dioduose), fotodioduose, fotovoltiniuose elementuose ir kituose elektroniniuose bei optoelektroniniuose prietaisuose. Skylinė elektroninė sandūra dar naudojama elektroniniams komponentams elektriškai izoliuoti integriniuose grandynuose.
466